Мынбаев Карим Джафарович Профессор, инженер Института перспективных систем передачи данных Ведущий научный сотрудник научно-исследовательского центра перспективных функциональных материалов и лазерных коммуникационных систем Персоналия университета ИТМО Перейти к содержимому страницы.
  2. Университет
  3. Персоналии (А-Я)
  4. Мынбаев Карим Джафарович

Мынбаев Карим Джафарович

Образование

1986 г. – СПбГЭТУ «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), специалитет, 0620 оптико-электронные системы

1992 г. – ФТИ им. А.Ф. Иоффе, кандидат физико-математических наук, 01.04.10 физика полупроводников и диэлектриков,

2008 г. – ФТИ им. А.Ф. Иоффе, доктор физико-математических наук, 01.04.10 физика полупроводников

Данные о повышении квалификации, переподготовке

2019 г. – «Моделирование и численный анализ условий кристаллизации и технологии выращивания методом электроосаждения специфических нанообъектов» (ФГБОУ ВО «Тольяттинский государственный университет»)

2019 г. – «Обслуживание и эксплуатация холодильных систем коммерческого типа (с учетом стандарта Ворлдскиллс по компетенции «Холодильная техника и системы кондиционирования»» (ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет ИТМО»)

Профессиональная деятельность

C 2012 г. – Университет ИТМО – профессор (Институт перспективных систем передачи данных, ранее – факультет лазерной фотоники и оптоэлектроники, ранее – кафедра световых технологий и оптоэлектроники, ранее – базовая кафедра светодиодных технологий)

C 1985 г. – ФТИ им. А.Ф. Иоффе – лаборант, стажер-исследователь, младший научный сотрудник, научный сотрудник, старший научный сотрудник, заведующий лабораторией, главный научный сотрудник –заведующий лабораторией

2011–2014 гг. – ООО «Оптоган. Новые технологии света» (ведущий научный сотрудник)

Профессиональные интересы

Материаловедение полупроводников (в частности, твёрдых растворов соединений AIIBVI и AIIIBV), используемых в устройствах фото– и оптоэлектроники, и других материалов электроники, нанотехнологии и наноструктурированные материалы.

Награды

2006 г. – грамота Президиума РАН и Профсоюза РАН.

Публикации

Ружевич М.С., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Дорогов М.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Ужаков И.Н., Ремесник В.Г., Якушев М.В.

Оптические свойства и разупорядочение плёнок HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Оптический журнал -2024. - Т. 91. - № 2. - С. 23-33 Подробнее

Ruzhevich M.S., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Dorogov M.V., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Uzhakov I.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V.

Optical properties and disorder of HgCdTe films grown by molecular beam epitaxy//Journal of Optical Technology, 2024, Vol. 91, No. 2, pp. 77-82 Подробнее

Ruzhevich M.S., Mynbaev K.D., Firsov D.D., Chumanov I.V., Komkov O.S., Marin D.V., Varavin V.S., Yakushev M.V.

Arsenic-doped HgCdTe: FTIR photoluminescence and photoreflectance spectroscopy study//Solid State Communications, 2024, Vol. 394, pp. 115720 Подробнее

Ruzhevich M.S., Firsov D.D., Komkov O.S., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Yakushev M.V.

Photoluminescence of Arsenic Doped Epitaxial Films of Cd0.3Hg0.7Te//Semiconductors, 2024, Vol. 58, No. 4, pp. 345-348 Подробнее

Ruzhevich M.S., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Varavin V.S., Remesnik V.G., Mikhailov N.N., Yakushev M.V.

Photoluminescence of Hg0.3Cd0.7Te and Hg0.7Cd0.3Te Epitaxial Films//Semiconductors, 2024, Vol. 58, No. 2, pp. 176-179 Подробнее

Ружевич М.С., Мынбаев К.Д., Фирсов Д.Д., Комков О.С., Варавин В.С., Ремесник В.Г., Якушев М.В.

Оптические свойства эпитаксиальных пленок HgCdTe, легированных мышьяком // Оптический журнал -2024. - Т. 91. - № 5. - С. 33-42 Подробнее

Kaveev A.K., Fedorov V.V., Pavlov A.V., Miniv D.V., Ustimenko R.V., Goltaev A., Dvoretckaia L., Mozharov A.M., Fedina S.V., Kirilenko D.A., Vinnichenko M.Y., Mynbaev K.D., Mukhin I.S.

Growth, Crystal Structure, and Photoluminescent Properties of Dilute Nitride InAsN Nanowires on Silicon for Infrared Optoelectronics//ACS Applied Nano Materials, 2024, Vol. 7, No. 3, pp. 3458-3467 Подробнее

Ruzhevich M.S., Mynbaev K.D., Баженов Н.Л., Romanov V.V., Моисеев К.Д.

Electroluminescence of narrow-gap InAs/InAs1–ySby/InAsSbP heterostructures with y = 0.07–0.12//Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки = St.Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2024, Vol. 17, No. 1. 1, pp. 77-82 Подробнее

Кириленко Я.Д., Ружевич М.С., Мынбаев К.Д.

Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSb(P) на характеристики InAsSb-светодиодов//Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника: Тезисы докладов Всероссийской научной молодежной конференции, 25-29 ноября 2024 г., Санкт-Петербург - 2024. - С. 73-73

Ruzhevich M.S., Mynbaev K.D., Баженов Н.Л., Kaveev A.K., Павлов А.В., Фёдоров В.В., Mukhin I.S.

Photoluminescence of self-induced InAs nanowires diluted with nitrogen//Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки = St.Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2024, Vol. 17, No. 3.1, pp. 34-37 Подробнее

Ружевич М.С., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Варавин В.С., Ремесник В.Г., Михайлов Н.Н., Якушев М.В.

Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Hg0.3Cd0.7Te и Hg0.7Cd0.3Te // Физика и техника полупроводников -2023. - Т. 57. - № 8. - С. 640-643 Подробнее

Semakova A.A., Ruzhevich M.S., Romanov V.V., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Moiseev K.D.

Stimulated Emission in the InAs/InAsSb/InAsSbP Heterostructures with Asymmetric Electronic Confinement//Semiconductors, 2023, Vol. 57, No. 5, pp. 263-267 Подробнее

Andryushchenko D.A., Ruzhevich M.S., Smirnov A.M., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Remesnik V.G.

Optical and Structural Properties of Hg0.7Cd0.3Te Epitaxial Films//Semiconductors, 2023, Vol. 57, No. 12, pp. 519-523 Подробнее

Ружевич М.С., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Дорогов М.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Ужаков И.Н.

Характеризация широкозонных слоев в лазерных структурах на основе CdHgTe // Физика твердого тела -2023. - Т. 65. - № 3. - С. 411-414 Подробнее

Ruzhevich M.S., Semakova A.A., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L.

Optical transitions in long-wavelength light-emitting diode heterostructures based on InAsSb//Journal of Optical Technology, 2023, Vol. 90, No. 7, pp. 362-368 Подробнее

Ружевич М.С., Семакова А.А., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л.

Оптические переходы в длинноволновых светодиодных гетероструктурах на основе InAsSb // Оптический журнал -2023. - Т. 90. - № 7. - С. 15-25 Подробнее

Ружевич М.С., Фирсов Д.Д., Комков О.С., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Якушев М.В.

Фотолюминесценция эпитаксиальных пленок Cd0.3Hg0.7Te, легированных мышьяком // Физика и техника полупроводников -2023. - Т. 57. - № 6. - С. 491-494 Подробнее

Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Semakova A.A., Zegrya G.G.

Comparative Analysis of the Electroluminescence Efficiency in Type-I and Type-II Heterostructures Based on III–V Narrow-Gap Compounds//Semiconductors, 2022, Vol. 56, No. 2, pp. 43-49 Подробнее

Баженова Н.Л., Мынбаев К.Д., Семакова А.А., Зегря Г.Г.

Сравнительный анализ эффективности электролюминесценции в гетероструктурах I и II типа на основе узкозонных соединений АIIIBV // Физика и техника полупроводников -2022. - Т. 56. - № 5. - С. 179-185 Подробнее

Семакова А.А., Ружевич М.С., Романов В.В., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Моисеев К.Д.

Стимулированное излучение в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP с асимметричным электронным ограничением // Физика и техника полупроводников -2022. - Т. 56. - № 9. - С. 876-881 Подробнее

Ruzhevich M.S., Mynbaev K.D.

Photoluminescence in Mercury Cadmium Telluride – a Historical Retrospective. Part II: 2004–2022//Reviews on Advanced Materials and Technologies, 2022, Vol. 4, No. 4, pp. 17-38 Подробнее

Andryushchenko D.A., Ruzhevich M.S., Smirnov A.M., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D.

Optical and structural studies of Hg0.7Cd0.3Te samples grown by various methods//Journal of Physics: Conference Series, 2021, Vol. 2103, No. 1, pp. 012148 Подробнее

Semakova A.A., Smirnov A.M., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Pivovarova A., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D.

Spectral and Electrical Properties of LED Heterostructures with InAs-based Active Layer//Semiconductors, 2021, Vol. 55, No. 12, pp. 989-984 Подробнее

Mynbaeva M.G., Smirnov A.N., Mynbaev K.D.

Optical Properties of Quasi-Bulk Gallium-Nitride Crystals with Highly Oriented Texture Structure//Semiconductors, 2021, Vol. 55, No. 7, pp. 617-620 Подробнее

Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D.

Study of the Current–Voltage Characteristics of InAsSb-Based LED Heterostructures in the 4.2–300 K Temperature Range//Semiconductors, 2021, Vol. 55, No. 6, pp. 557-561 Подробнее

Семакова А.А., Романов В.В., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Моисеев К.Д.

Подавление температурной зависимости длины волны излучения в светодиодных структурах со ступенчатым гетеропереходом II типа InAsSb/InAsSbP // Физика и техника полупроводников -2021. - Т. 55. - № 3. - С. 277-281 Подробнее

Семакова А.А., Смирнов А.М., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Пивоварова А.А., Черняев А.В., Кижаев С.С., Стоянов Н.Д.

Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs // Физика и техника полупроводников -2021. - Т. 55. - № 8. - С. 682-687 Подробнее

Semakova A.A., Romanov V.V., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Moiseev K.D.

Suppressing the Temperature Dependence of the Wavelength in Heterostructures with a Staggered Type-II InAsSb/InAsSbP Heterojunction//Semiconductors, 2021, Vol. 55, No. 3, pp. 354-358 Подробнее

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Fitsych O.I., Swiatek Z., Jakiela R.

Accumulation of Arsenic Implantation-Induced Donor Defects in Hg0.7Cd0.3Te Heteroepitaxial Structures//Journal of Electronic Materials, 2021, Vol. 50, No. 6, pp. 3714-3721 Подробнее

Семакова А.А., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Черняев А.В., Кижаев С.С., Стоянов Н.Д.

Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2-300 К // Физика и техника полупроводников -2021. - Т. 55. - № 6. - С. 502-506 Подробнее

Андрющенко Д.А., Ружевич М.С., Смирнов А.М., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Ремесник В.Г.

Оптические и структурные свойства эпитаксиальных слоев Hg0.7Cd0.3Te // Физика и техника полупроводников -2021. - Т. 55. - № 11. - С. 1040-1044 Подробнее

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Fitsych O.I., Swiatek Z., Jakiela R.

Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te//Infrared Physics and Technology, 2021, Vol. 114, pp. 103665 Подробнее

Мынбаева М.Г., Смирнов А.Н., Мынбаев К.Д.

Оптические свойства квазиобъемных кристаллов нитрида галлия со структурой высокоориентированной текстуры // Физика и техника полупроводников -2021. - Т. 55. - № 7. - С. 554-558 Подробнее

Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Sidorov G.Y.

Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing//Surface and Coatings Technology, 2020, Vol. 392, pp. 125760 Подробнее

Semakova A.A., Romanov V.V., Moiseev K.D., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D.

Variable-temperature luminescence studies of InAsSb-based LED heterostructures emitting beyond 5 Mum//Journal of Physics: Conference Series, 2020, Vol. 1482, No. 1, pp. 012023 Подробнее

Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Курбанов К.Р., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Swiatek Z., Morgiel J.

Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ // Известия высших учебных заведений. Физика -2020. - Т. 63. - № 2. - С. 98-103 Подробнее

Izhnin I.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A., Mynbaev K.D., Kurbanov K.R., Varavin V.S., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V., Swiatek Z., Morgiel J.

Localization and Nature of Radiation Donor Defects in the Arsenic Implanted Cdhgte Films Grown by MBE//Russian Physics Journal, 2020, Vol. 63, No. 2, pp. 290-295 Подробнее

Mynbaeva M.G., Sitnikova A.A., Smirnov A.N., Mynbaev K.D., Lipsanen H.K., Kremleva A.V., Bauman D.A., Bougrov V.E., Romanov A.E.

On cracking in thick GaN layers grown on sapphire substrates//Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics, 2020, Vol. 44, No. 1, pp. 1-7 Подробнее

Semakova A.A., Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Kizhaev S.S., Chernyaev A.V., Stoyanov N.D., Lipsanen H.

Experimental study and simulation of the spectral characteristics of LED heterostructures with an InAs active region//Technical Physics Letters, 2020, Vol. 46, No. 2, pp. 150-153 Подробнее

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovskii A., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Korotaev A., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D., Yakushev M.V., Swiatek Z., Morgiel J., Bonchyk O.Y.

Electrical and microscopic characterization of p+-type layers formed in HgCdTe by arsenic implantation//Semiconductor Science and Technology, 2020, Vol. 35, No. 11, pp. 115019 Подробнее

Mynbaev K.D., Smirnov A.M., Bazhenov N.L., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V.

Optical Studies of Molecular-Beam Epitaxy-Grown Hg1-xCdxTe with x=0.7-0.8//Journal of Electronic Materials, 2020, Vol. 49, No. 8, pp. 4642–4646 Подробнее

Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Swiatek Z., Morgiel Y., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V.

TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells//Applied Nanoscience, 2020, Vol. 10, No. 8, pp. 2867-2871 Подробнее

Ruzhevich M.S., Mynbaev K.D.

Photoluminescence in Mercury Cadmium Telluride – a Historical Retrospective. Part I: 1966-1996//Reviews on Advanced Materials and Technologies, 2020, Vol. 2, No. 4, pp. 47-64 Подробнее

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Swiatek Z., Morgiel J., Voitsekhovskii A., Korotaev A.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D.V., Yakushev M.V., Fitsych O.I., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V.

Direct comparison of the results of arsenic ion implantation in n– and p–type Hg0.8Cd0.2Te//Infrared Physics & Technology, 2020, Vol. 109, pp. 103388 Подробнее

Семакова А.А., Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Кижаев С.С., Черняев А.В., Стоянов Н.Д., Липсанен Х.

Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из INAS // Письма в Журнал технической физики -2020. - Т. 46. - № 3. - С. 51-54 Подробнее

Semakova A.A., Romanov V.V., Moiseev K.D., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D.

Temperature dependence of the optical and electrical properties of long-wavelength InAsSb-based LED heterostructures//Journal of Physics: Conference Series, 2020, Vol. 1697, No. 1, pp. 012168 Подробнее

Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Smirnov A.M., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V.

Optical and Structural Properties of HgCdTe Solid Solutions with a High CdTe Content//Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 12, pp. 1561-1566 Подробнее

Mynbaeva M.G., Ivanova E.V., Kirilenko D.A., Smirnov A.N., Mynbaev K.D.

Emission properties of textured gallium nitride with high density of stacking faults//Journal of Physics: Conference Series, 2020, Vol. 1697, No. 1, pp. 012064 Подробнее

Lipnitskaya S.N., Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D.

Numerical simulations of power characteristics and emission spectra of InAs(Sb)-based mid-infrared LED structures//Journal of Physics: Conference Series, 2020, Vol. 1697, No. 1, pp. 012176 Подробнее

Mikhailov N., Shvets V., Ikusov D., Uzhakov I., Dvoretsky S., Mynbaev K.D., Dluzewski P., Morgiel J., Swiatek Z., Bonchyk O., Izhnin I.

Interface Studies in HgTe/HgCdTe Quantum Wells//Physica status solidi (b), 2020, Vol. 257, No. 5, pp. 1900598 Подробнее

Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Смирнов А.М., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г.

Оптические и структурные свойства твердых растворов HGCDTE с большим содержанием CDTE // Физика и техника полупроводников -2020. - Т. 54. - № 12. - С. 1302-1308 Подробнее

Korotaev A.G., Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Swiatek Z., Morgiel J.

Hall-effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing//Surface and Coatings Technology, 2020, Vol. 393, pp. 125721 Подробнее

Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Syvorotka I.I., Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Fitsych O.I., Varavin V.S., Marin D.V., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Swiatek Z., Morgiel J., Jakiela R.

Nano-size defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy//Applied Nanoscience, 2020, Vol. 10, No. 12, pp. 4971-4976 Подробнее

Andryushchenko D.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Mikhailov N.N., Remesnik V.G.

Optical studies of wide-bandgap HgCdTe material used in potential-and quantum-well structures//Journal of Physics: Conference Series, 2020, Vol. 1482, No. 1, pp. 012002 Подробнее

Kuzmenko E.V., Semakova A.A., Bazhenov N.L., Kizhaev S.S., Chernyaev A.V., Stoyanov N.N., Mynbaev K.D.

Study of current-voltage characteristics of InAsSb-based LED heterostructures in 4.2 - 300 K temperature range//Journal of Physics: Conference Series, 2020, Vol. 1482, No. 1, pp. 012024 Подробнее

Ivanov-Omskii V.I., Mynbaev K.D., Trapeznikova I.N., Andryushchenko D.A., Bazhenov N.L., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Remesnik V.G., Dvoretskii S.A., Yakushev M.V.

An Optical Study of Disordering in Cadmium Mercury Telluride Solid Solutions//Technical Physics Letters, 2019, Vol. 45, No. 6, pp. 553-556 Подробнее

Левин Р.В., Пушный Б.В., Федоров И.В., Усикова А.А., Неведомский В.Н., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Павлов Н.В., Зегря Г.Г.

Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев INAS/GASB // Журнал технической физики -2019. - Т. 89. - № 10. - С. 1592-1597 Подробнее

Levin R.V., Pushnyi B.V., Fedorov I.V., Usikova A.A., Nevedomskii V.N., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Pavlov N.V., Zegrya G.G.

Examination of the Capabilities of Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy in Fabrication of Thin InAs/GaSb Layers//Technical Physics, 2019, Vol. 64, No. 10, pp. 1509-1514 Подробнее

Fedorov I.V., Levin R.V., Nevedomsky V.N., Usikova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Pushnyi B.V., Zegrya G.G.

IR diode structures based on II-Type InAs/GaSb superlattices grown by MOCVD//Journal of Physics: Conference Series, 2019, Vol. 1199, No. 1, pp. 012016 Подробнее

Izhnin I.I., Syvorotka I.I., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D.V., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G.

Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis//Semiconductor Science and Technology, 2019, Vol. 34, No. 3, pp. 035009 Подробнее

Izhnin I.I., Fitsych O.I., Swiaotek Z., Morgiel Y., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A.

Effect of annealing on the structural properties of arsenic-implanted mercury cadmium telluride//Opto-electronics Review, 2019, Vol. 27, No. 1, pp. 14-17 Подробнее

Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Semakova A.A., Zegrya G.G.

Carrier Lifetime in Semiconductors with Band-Gap Widths Close to the Spin-Orbit Splitting Energies//Semiconductors, 2019, Vol. 53, No. 4, pp. 428-433 Подробнее

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Syvorotka I.I., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N., Remesnik V.G., Yakushev M.V., Swiatek Z., Morgiel J., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V.

Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis//Infrared Physics and Technology, 2019, Vol. 98, pp. 230-235 Подробнее

Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Семакова А.А., Зегря Г.Г.

Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления // Физика и техника полупроводников -2019. - Т. 53. - № 4. - С. 450-455 Подробнее

Krasnitckii A.S., Smirnov A.M., Mynbaev K.D., Zhigilei L.V., Gutkin M.Y.

Axial misfit stress relaxation in core-shell nanowires with hexagonal core via nucleation of rectangular prismatic dislocation loops//Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics, 2019, Vol. 42, No. 6, pp. 776-783 Подробнее

Semakova A.A., Lipnitskaya S.N., Bazhenov N.L., Kizhaev S.S., Chernyaev A.V., Stoyanov N.D., Mynbaev K.D.

Spontaneous and stimulated emission in InAs-based LED heterostructures//Journal of Physics: Conference Series, 2019, Vol. 1400, No. 6, pp. 066044 Подробнее

Andryushchenko D.A., Trapeznikova I.N., Bazhenov N.L., Yagovkina M.A., Mynbaev K.D., Remesnik V.G., Varavin V.S.

Strong Disorder in HgCdTe Studied with Optical Methods and X-Ray Diffraction//Journal of Physics: Conference Series, 2019, Vol. 1400, No. 6, pp. 066038 Подробнее

Иванов-Омский В.И., Мынбаев К.Д., Трапезникова И.Н., Андрющенко Д.А., Баженов Н.Л., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Ремесник В.Г., Дворецкий С.А., Якушев М.В.

Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами // Письма в Журнал технической физики -2019. - Т. 45. - № 11. - С. 24-27 Подробнее

Мынбаев К.Д., Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Фицыч Е.И., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Morgiel Y., Swiatek Z.

Радиационные донорные дефекты в имплантированных As пленках МЛЭ CdHgTe: пространственное распределение и природа//Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2019», Новосибирск, 27-31 мая 2019 г. Тезисы докладов. - 2019. - С. 57

Мынбаев К.Д., Семакова А.А., Липницкая С.Н., Баженов Н.Л., Черняев А.В., Кижаев С.С., Стоянов Н.Д.

Спонтанное и стимулированное излучение в светодиодных гетероструктурах с активной областью из InAs//Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2019», Новосибирск, 27-31 мая 2019 г. Тезисы докладов. - 2019. - С. 168

Мынбаев К.Д., Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Якушев М.В., Morgiel Y., Swiatek Z.

Термические отжиги имплантированных мышьяком МЛЭ пленок CdHgTe//Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2019», Новосибирск, 27-31 мая 2019 г. Тезисы докладов. - 2019. - С. 177

Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Андрющенко Д.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Марин Д.В., Дворецкий С.А., Ремесник В.Г., Якушев М.В.

Разупорядочение кристаллической решетки и точечные дефекты в слоях HgCdTe, выращенных методом МЛЭ на подложках Si и GaAs//Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2019», Новосибирск, 27-31 мая 2019 г. Тезисы докладов. - 2019. - С. 112

Bonchyk O.Y., Savytskyy H., Swiatek Z., Morgiel Y., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D.V., Yakushev M.V.

Nano-size defects in arsenic-implanted HgCdTe films: a HRTEM study//Applied Nanoscience, 2019, Vol. 9, No. 5, pp. 725-730 Подробнее

Izhnin I.I., Izhnin A.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I., Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Zegrya G.G.

Luminescence studies of HgCdTe- and InAsSb-based quantum-well structures//Applied Nanoscience, 2019, Vol. 9, No. 5, pp. 617-622 Подробнее

Mynbaeva M.G., Shirshnev P.S., Kremleva A.V., Smirnov A.N., Ivanova E.V., Zamoryanskaya M.V., Nikitina I.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Odnoblyudov M.A., Bauman D.A., Lipsanen H., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E.

Optical properties of bulk gallium oxide grown from the melt//Reviews on Advanced Materials Science, 2018, Vol. 57, No. 1, pp. 97-103 Подробнее

Мынбаев К.Д., Семакова А.А., Баженов Н.Л., Молчанов С.С., Черняев А.В., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С.

Электролюминесценция и время жизни носителей заряда в структурах на основе InAsSb//Труды XXV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения - 2018. - Т. 2. - С. С59

Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D.

Luminescence of HgCdTe- and InAsSb-based quantum-well heterostructures//Journal of Physics: Conference Series, 2018, Vol. 1135, No. 1, pp. 012072 Подробнее

Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D.

Carrier lifetime in InAs(Ga,Sb,P) heterostructures//Journal of Physics: Conference Series, 2018, Vol. 1038, No. 1, pp. 012097 Подробнее

Izhnin I.I., Fitsych E.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V., Swiatek Z.

Defects in Arsenic Implanted р+–n- and n+–p- Structures Based on MBE Grown CdHgTe Films//Russian Physics Journal, 2018, Vol. 60, No. 10, pp. 1752–1757 Подробнее

Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Marin D.V., Yakushev M.V.

Photoluminescence of Molecular Beam Epitaxy-Grown Mercury Cadmium Telluride: Comparison of HgCdTe/GaAs and HgCdTe/Si Technologies//Journal of Electronic Materials, 2018, Vol. 47, No. 8, pp. 4731-4736 Подробнее

Pociask-Bialy M., Mynbaev K.D., Kaczmarzyk M.

Light trapping by chemically micro-textured glass for crystalline silicon solar cells//Opto-electronics Review, 2018, Vol. 26, No. 4, pp. 307-311 Подробнее

Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Syvorotka I.I., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D.V., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V.

Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films//Journal of Physics: Conference Series, 2018, Vol. 1115, No. 3, pp. 032063 Подробнее

Izhnin I.I., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Jakiela R.

Optical and electrical studies of arsenic–implanted HgCdTe films grown with molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates//Infrared Physics & Technology, 2017, Vol. 81, pp. 52-58 Подробнее

Мынбаев К.Д., Семакова А.А., Баженов Н.Л.

Электролюминисценция светодиодных гетероструктур на основе InAs//Физика п/п и наноструктур, п/п опто- и наноэлектроника. Тезисы докладов. 19-я всеросс. мол. конф., СПб, 27 ноября-1 декабря 2017. - 2017. - С. 49

Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D.

Study of electroluminescence of InAs(Sb,P) LED heterostructures//Journal of Physics: Conference Series, 2017, Vol. 929, No. 1, pp. 012076 Подробнее

Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Свёнтек З.

Дефекты в имплантированных мышьяком р+–n и n+–p структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ // Известия высших учебных заведений. Физика -2017. - Т. 60. - № 10. - С. 92-97

Semakova A.A., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D.

Electroluminescence of InAsSb-based mid-infrared LEDs in 4.2–300 K temperature range//Journal of Physics: Conference Series, 2017, Vol. 917, No. 5, pp. 052005 Подробнее

Shilyaev A.V., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Greshnov A.A.

Effect of composition fluctuations on radiative recombination in narrow-gap semiconductor solid solutions//Technical Physics, 2017, Vol. 62, No. 3, pp. 441-448 Подробнее

Шиляев А.В., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Грешнов А.А.

Влияние флуктуаций состава на излучательную рекомбинацию в узкозонных полупроводниковых твердых растворах // Журнал технической физики -2017. - Т. 87. - № 3. - С. 419-426 Подробнее

Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Semakova A.A., Bykhanova E.V., Bazhenov N.L.

Luminescence of II–VI and III–V nanostructures//Opto-electronics Review, 2017, Vol. 25, No. 3, pp. 209-214 Подробнее

Мынбаев К.Д., Семакова А.А., Баженов Н.Л., Кижаев С.С., Черняев А.В., Стоянов Н.Д.

Electroluminescence of InAsSb-based mid-infrared LEDs in wide temperature range (4.2 –300 K)//4th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (SPb OPEN2017). Book of Abstracts. April 3 – 6, 2017, Saint Petersburg, Russia., 2017, pp. 258-259

Shvaleva M.A., Aseev V.A., Tuzova I.V., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Nikonorov N.V., Romanov A.E.

Luminescent Phosphor-in-Glass Composite for White Light-Emitting Diodes//Journal of Optoelectronics Engineering, 2017, Vol. 5, No. 1, pp. 7-9 Подробнее

Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D., Bougrov V.E., Lipsanen H.K., Salikhov K.

Spontaneous and stimulated emission in InAsSb-based LED heterostructures//Infrared Physics and Technology, 2017, Vol. 85, pp. 246-250 Подробнее

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voytsekhovskiy A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Pociask-Bialy M.

Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies//Opto-electronics Review, 2017, Vol. 25, No. 2, pp. 148-170 Подробнее

Mynbaev K.D., Semakova A.A., Ижнин И.И., Ижнин А.И., Войцеховский А.В., Фицыч Е.И., Баженов Н.Л., Горн Д.И., Zegria G.G.

Luminescence studies of HgCdTe–and InAsSb–based quantum well structures, 2017, pp. 560

Мынбаев К.Д., Быханова Е.В., Баженов Н.Л., Кижаев С.С., Черняев А.В., Стоянов Н.Д.

Electroluminescence of InAsSb/InAs(Sb,P) multiple quantum wells at temperatures 4.2-300 K, 2017, pp. 262-263

Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Семакова А.А., Михайлова М.П., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Астахова А.П., Черняев А.В., Липсанен Х., Бугров В.Е.

Электролюминесценция светодиодных гетероструктур INAS/INAS(SB)/INASSBP в диапазоне температур 4.2-300 K // Физика и техника полупроводников -2017. - Т. 51. - № 2. - С. 247-252 Подробнее

Timoshkov A.O., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Yakushev M.V., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A.

Photoluminescence of Hg0.5Cd0.5Te structures grown with molecular-beam epitaxy//Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics, 2017, Vol. 32, No. 1, pp. 88-93 Подробнее

Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Yakushev M.V., Jakiela R., Trzyna M.

Properties of arsenic-implanted Hg1-xCdxTe MBE films//EPJ Web of Conferences, 2017, Vol. 133, pp. UNSP 01001 Подробнее

Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Mikhailova M.P., Stoyanov N.D., Kizhaev S.S., Molchanov S.S., Astakhova A.P., Chernyaev A.V., Lipsanen H., Bougrov V.E.

Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K//Semiconductors, 2017, Vol. 51, No. 2, pp. 239-244 Подробнее

Mynbaeva M.G., Lavrent’Ev A.A., Mynbaev K.D.

Formation of graphite/sic structures by the thermal decomposition of silicon carbide//Semiconductors, 2016, Vol. 50, No. 1, pp. 138-142 Подробнее

Мынбаев К.Д.

Технические применения светодиодных устройств - 2016

Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Мынбаева М.Г., Николаев В.И., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Физические основы оптимизации свойств светодиодных материалов - 2016

Свёнтек З., Озга П., Ижин Г.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В.

Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок cdhgte // Известия высших учебных заведений. Физика -2016. - Т. 59. - № 3. - С. 110-113

Swiatek Z., Ozga P., Izhnin I.I., Fitsych E.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Varavin V.C., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V.

Physics of semiconductors and dielectrics: Electrical and optical studies of defect structure of HgCdTe films grown by molecular beam epitaxy//Russian Physics Journal, 2016, Vol. 59, No. 3, pp. 442-445 Подробнее

Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Семакова А.А., Быханова Е.В., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С.

Низкотемпературная электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP // Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 24-27 мая 2016 г.) -2016. - С. 338-341

Мынбаев К.Д.

Luminescence studies of II-VI and III-V nanostructures//International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors IC SeNOB 2016, Rzeszow, Poland, 22-25 May 2016, Book of Abstracts., 2016, pp. 29

Mynbaev K.D., Баженов Н.Л., Семакова А.А., Салихов Х.М., Михайлова М.П., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Астахова А.П., Черняев А.В.

Electroluminescence study of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures at 4.2–300 K//The 13th International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices (MIOMD-XIII), September 18-22, 2016, Beijing, China. Program and Abstracts, 2016, pp. 68-69

Мынбаев К.Д., Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Фицыч Е.И., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Ozga P., Swiatek Z.

Дефектная структура имплантированных As МЛЭ пленок CdHgTe//XXIV Междунар. научно-технич. конф. и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 24-27 мая 2016 г. Труды конференции. - 2016. - С. 80-82

Мынбаева М.Г., Кириленко Д.А., Ситникова А.А., Кремлева А.В., Николаев В.И., Мынбаев К.Д., Одноблюдов М.А., Липсанен Х., Бугров В.Е., Романов А.Е.

Получение толстых слоев нитрида галлия методом многостадийного роста на подложках с колонной структурой // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics] -2016. - Т. 16. - № 6(106). - С. 1048-1055 Подробнее

Мынбаева М.Г., Печников А.И., Смирнов А.Н., Кириленко Д.А., Рауфов С.Ч., Ситникова А.А., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Николаев В.И., Романов А.Е.

Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках [Optical properties of thick GaN layers grown with hydride vapor-phase epitaxy on structured substrates] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics -2016. - Т. 29. - № 1. - С. 24-31 Подробнее

Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Семакова А.А., Быханова Е.В., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С.

Низкотемпературная электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP//XXIV Междунар. научно-технич. конф. и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 24-27 мая 2016 г. Труды конференции. - 2016. - С. 338-341

Мынбаев К.Д.

Recent progress in III-V and II-VI Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics//5th International Conference on Lasers, Optics and Photonics «Optics 2016»”), Atlanta, GA, USA, 28-30 November 2016, 2016, pp. 24

Mynbaev K.D., Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Фицыч Е.И., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Jakiela R., Trzyna M.

Properties of arsenic-implanted CdHgTe films//International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors IC SeNOB 2016, Rzeszow, Poland, 22-25 May 2016, Book of Abstracts., 2016, pp. 105

Бугров В.Е., Мынбаева М.Г., Мынбаев К.Д., Николаев В.И., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Физические основы оптимизации свойств светодиодных материалов -2016

Мынбаева М.Г., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д.

Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния // Физика и техника полупроводников -2016. - Т. 50. - № 1. - С. 138-142 Подробнее

Swiatek Z., Ozga P., Izhnin I.I., Fitsych E.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V.

Electrical and Optical Studies of Defect Structure of HgCdTe Films Grown by Molecular Beam Epitaxy//Russian Physics Journal, 2016, Vol. 59, No. 3, pp. 442-445 Подробнее

Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E.

TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern//Journal of Crystal Growth, 2016, Vol. 445, pp. 30-36 Подробнее

Swiatek Z., Yakushev M.V., Izhnin I.I., Ozga P., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Marin D.V., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Voitsekhovski A.V., Savytskyy H.V., Bonchyk O.

Electrical and optical studies of a tellurium-related defect in molecular-beam epitaxy-grown HgCdTe//Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics, 2016, Vol. 13, No. 7-9, pp. 461–464 Подробнее

Жумашев Н.К., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С., Липсанен Х., Салихов Х.М., Бугров В.Е.

Спектральные характеристики светодиодов среднего инфракрасного диапазона на основе InAs(Sb,P) // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics] -2016. - Т. 16. - № 1(101). - С. 76-84 Подробнее

Mynbaev K.D., Zablotsky S.V., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A.

Defects in mercury-cadmium telluride heteroepitaxial structures grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates//Semiconductors, 2016, Vol. 50, No. 2, pp. 208-211 Подробнее

Мынбаев К.Д., Заблоцкий С.В., Шиляев А.В., Баженов Н.Л., Якушев М.В., Марин Д.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А.

Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния // Физика и техника полупроводников -2016. - Т. 50. - № 2. - С. 208-211 Подробнее

Yakushev M.V., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Marin D.V., Dvoretsky S.A., Sidorov Y.G.

Acceptor states in HgCdTe films grown by molecular-beam epitaxy on GaAs and Si substrates//Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics, 2016, Vol. 13, No. 7-9, pp. 469–472 Подробнее

Shvaleva M.A., Shulga E., Kink I., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Romanov A.E.

Na2SiO3 liquid glass-based phosphor material for white LEDs//Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 2015, Vol. 212, No. 12, pp. 2964-2967 Подробнее

Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г.

Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет излучательной рекомбинации // Физика и техника полупроводников -2015. - Т. 49. - № 9. - С. 1206-1211 Подробнее

Zablotsky S.V., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A.

Acceptor states and carrier lifetime in heteroepitaxial HgCdTe-on-Si for mid-infrared photodetectors//Journal of Physics: Conference Series, 2015, Vol. 643, pp. 012004 Подробнее

Жумашев Н.К., Лукьянов Г.Н., Малышев А.Г., Мынбаев К.Д., Рассадина А.А.

Application of a LED–photodiode optocouple for the study of human respiratory function//2nd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures - 2015. - С. 96-97

Жумашев Н.К., Лукьянов Г.Н., Мынбаев К.Д., Рассадина А.А.

Бесконтактная система для отслеживания динамики измерения концентрации СО2 в процессе дыхания человека//XLIV научная и учебно-методическая конференция. Санкт-Петербург. 03.02.2015 - 06.02.2015 - 2015. - С. 13

Shvaleva M.A., Tuzova Y.V., Romanov A.E., Aseev V.A., Nikonorov N.V., Mynbaev K.D., Bugrov V.E.

Optical and thermal properties of phosphors based on lead-silicate glass for high-power white LEDs//Technical Physics Letters, 2015, Vol. 41, No. 11, pp. 1041-1043 Подробнее

Malyshev A.G., Jumashev N.K., Lukyanov G.N., Mynbaev K.D., Rassadina A.A.

Application of a LED–photodiode optocouple for the study of human respiratory function//Journal of Physics: Conference Series, 2015, Vol. 643, pp. 012026 Подробнее

Баженов Н.Л., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Мынбаев К.Д., Якушев М.В.

Фотолюминесцентная характеризация эпитаксиальных слоев твердых растворов CdHgTe//Фотоника-2015. Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Тезисы. - 2015. - С. 35

Mynbaev K.D.

New type liquid glass-based composite phosphor material for effective light conversion, 2015

Izhnin I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V., Fitsych O.I.

Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p-n junctions fabricated with ion etching//Infrared Physics & Technology, 2015, Vol. 73, pp. 158-165 Подробнее

Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Zegrya G.G.

Temperature dependence of the carrier lifetime in narrow-gap Cd xHg1–xTe solid solutions: Radiative recombination//Semiconductors, 2015, Vol. 49, No. 9, pp. 1170-1175 Подробнее

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Pociask-Bialy M., Dvoretsky S.A.

Background donor concentration in HgCdTe//Opto-electronics Review, 2015, Vol. 23, No. 3, pp. 200-207 Подробнее

Мынбаева М.Г., Печников А.И., Шарофидинов Ш.Ш., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Степанов С.И., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е.

Светоизлучающие p–n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3 [Light-Emitting P-N structures fabricated with hydride vapor-phase epitaxy on GaN/Al2O3 structured substrates] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics -2015. - Т. 22. - № 1. - С. 30-38 Подробнее

Швалева М.А., Тузова Ю.В., Романов А.Е., Асеев В.А., Никоноров Н.В., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е.

Оптические и термические свойства люминофоров на основе свинцово-силикатного стекла для мощных белых светодиодов // Письма в Журнал технической физики -2015. - Т. 41. - № 21. - С. 38-44 Подробнее

Bougrov V.E., Kink I., Mynbaev K.D., Romanov A.E., Shulga E., Shvaleva M.A.

Liquid glass-based phosphor materials for white LEDs, 2015

Bougrov V.E., Kink I., Mynbaev K.D., Romanov A.E., Shulga E., Shvaleva M.A.

New type of liquid glass-based composite phosphor material for effective light conversion, 2015

Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Zegrya G.G.

Temperature dependence of the carrier lifetime in Cd (x) Hg1-x Te narrow-gap solid solutions with consideration for Auger processes//Semiconductors, 2015, Vol. 49, No. 4, pp. 432-436 Подробнее

Перетягин В.С., Подосинников А.И., Романова Г.Э., Щеглов С.А., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Бугров В.Е.

Моделирование и исследование краевого эффекта при работе с трехкристальными RGB-светодиодами // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics] -2015. - Т. 15. - № 2(96). - С. 202-210 Подробнее

Бугров В.Е., Кинк И., Мынбаев К.Д., Романов А.Е., Швалева М.А., Шульга Е.

ИССЛЕДОВАНИЕ НОВОГО ЛЮМИНОФОРНОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ РАСТВОРА ЖИДКОГО СТЕКЛА Na2SiO3 ДЛЯ БЕЛЫХ СВЕТОДИОДОВ//Научная Литература - 2015. - С. 69-70

Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Izhnin A.I., Izhnin I.I., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Dvoretsky S.A.

Acceptor states in heteroepitaxial CdHgTe films grown by molecular-beam epitaxy//Semiconductors, 2015, Vol. 49, No. 3, pp. 367-372 Подробнее

Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г.

Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет оже-процессов // Физика и техника полупроводников -2015. - Т. 49. - № 4. - С. 444-448 Подробнее

Мынбаев К.Д., Шиляев А.В., Баженов Н.Л., Ижнин А.И., Ижнин И.И., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Дворецкий С.А.

Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно–лучевой эпитаксией // Физика и техника полупроводников -2015. - Т. 49. - № 3. - С. 379-384 Подробнее

Bougrov V.E., Kovsh A.R., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E., Vinogradova K.A.

Powerful Ultraviolet Chip-on-Board Modules for Medical Applications: Improvements in Technology and Characteristics "The 9th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication"//The 9th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication. Book of Abstracts, 2014, pp. 353-354

Aseev V.A., Bougrov V.E., Ivukin I.N., Mynbaev K.D., Nikonorov N.V., Shvaleva M.A., Tuzova J.V.

New Luminescent Phosphor-in-Glass Composite for White Light-Emitting Diodes, 2014

Фудин М.С., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Айфантис К., Бугров В.Е., Романов А.Е.

Частотные характеристики современных светодиодных люминофорных материалов // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics] -2014. - № 6(94). - С. 71-76 Подробнее

Баженов Н.Л., Заблоцкий С.В., Мынбаев К.Д.

Гетероэпитаксиальные структуры CdHgTe/Si для «p+–n» и «n+–p» фотодиодов инфракрасного диапазона//Сборник трудов II Международной научно-практической конференции «Sensorica-2014» - 2014. - С. 133-135

Mynbaeva M.G., Golovatenko A.A., Pechnikov A.I., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I.

Specific Features of the Hydride Vapor-Phase Epitaxy of Nitride Materials on a Silicon Substrate//Semiconductors, 2014, Vol. 48, No. 11, pp. 1535-1538 Подробнее

Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Sidorov Y.G., Dvoretsky S.A.

Defects in heteroepitaxial CdHgTe/Si layers and their behavior under conditions of implanted p+-n photodiode structure formation//Technical Physics Letters, 2014, Vol. 40, No. 8, pp. 708-711 Подробнее

Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Nikulina L., Kramnik V., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E.

Investigation of light extraction from light emitting module chip-on-board//Optical Review, 2014, Vol. 21, No. 5, pp. 655-658 Подробнее

Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Izhnin A.I., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Dvoretsky S.A.

Light emission from CdHgTe-based nanostructures//Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics, 2014, Vol. 21, No. 2, pp. 112-118 Подробнее

Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Головатенко А.А., Лебедев А.А., Николаев В.И.

Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме // Физика и техника полупроводников -2014. - Т. 48. - № 3. - С. 364-368 Подробнее

Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Исследование вывода света из светодиодного модуля "CHIP-ON-BOARD" // Ученые записки физического факультета МГУ -2014. - № 2. - С. 142402(1-5) Подробнее

Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И.

Безмасочное структурирование поверхности кремниевых подложек для нитридной эпитаксии // Ученые записки физического факультета МГУ -2014. - № 2. - С. 142502(1-4) Подробнее

Мынбаева М.Г., Головатенко А.А., Печников А.И., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И.

Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния // Физика и техника полупроводников -2014. - Т. 48. - № 11. - С. 1573-1577 Подробнее

Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Якушев М.В., Марин Д.В., Варавин В.С., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А.

Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных «p+–n» фотодиодных структур // Письма в Журнал технической физики -2014. - Т. 40. - № 16. - С. 65-72 Подробнее

Mynbaeva M.G., Lebedev S.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Golovatenko A.A., Lebedev A.A., Nikolaev V.I.

On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum//Semiconductors, 2014, Vol. 48, No. 3, pp. 350-353 Подробнее

Izhnin I.I., Dvoretsky S.A., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Pociask-Bialy M., Voitsekhovskii A.V., Sheregii E.

Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic//Journal of Applied Physics, 2014, Vol. 115, No. 16, pp. 163501 Подробнее

Shvaleva M.A., Nikulina L.A., Aseev V.A., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikonorov N.V., Romanov A.E.

Ce3+: YAG Doped Glass-Ceramics For White Light-Emitting Diode//Optical Review, 2014, Vol. 21, No. 5, pp. 683-686 Подробнее

Bougrov V.E., Kovsh A.R., Mynbaev K.D., Odnoblyudov M.A., Vinogradova K.A.

Active Chip-on-Board Modules for Special Spectra Devices: Technology and Control "The 9th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication"//The 9th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication. Book of Abstracts, 2014, pp. 351-352

Бугров В.Е., Ковш А.Р., Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Одноблюдов М.А., Рамхен Й., Романов А.Е.

Оптимизация конструкции светодиодного модуля Chip-On-Board с целью увеличения светоотдачи//Первая международная выставка-конференция "Свет Петербурга" Сборник Тезисов - 2013. - С. 12-13

Бугров В.Е., Коротаев В.В., Мынбаев К.Д., Нисимов С.У., Романов А.Е., Серебрякова В.С., Швалева М.А.

Новая образовательная программа в области твердотельного освещения//Международная научно-практическая конференция "Свет Петербурга" - 2013. - С. 16-17

Головатенко А.А., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Мынбаева М.Г., Николаев В.И.

Взаимная диффузия компонентов подложки и эпитаксиальных слоев при хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на кремнии//Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" - 2013. - С. 227-228

Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Повышение эффективности вывода света из светодиодных модулей "CHIP-ON-BOARD" // Оптический журнал -2013. - Т. 80. - № 12. - С. 45-52 Подробнее

Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Braslavskii S.S., Solovieva E.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Romanov A.E., Bugrov V.E.

Temperature stability of colored LED elements//Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics, 2013, Vol. 18, No. 2, pp. 143–147

Бугров В.Е., Ковш А.Р., Мынбаев К.Д., Одноблюдов М.А., Романов А.Е., Швалева М.А.

Разработка перспективных композитных люминофорных материалов на основе неорганических матриц//Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" - 2013. - С. 249-250

Vinogradova K.A., Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Romanov A.E.

Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок "чип на плате", излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн [Optimization of light extraction from power led chip-on-board modules emitting in ultraviolet range of spectrum]//Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics, 2013, Vol. 17, No. 2, pp. 111-120 Подробнее

Бугров В.Е., Ковш А.Р., Крамник В.В., Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Design optimization of light emitting diode module «CHIP-ON-BOARD» for light extraction increase//Conference Proceedings "12th International Conference on Laser and Fiber-Optical Networks Modeling LFNM’ 2013", 2013, pp. 87-89

Бугров В.Е., Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Одноблюдов М.А., Рамхен Й., Романов А.Е.

Исследование вывода света из светодиодного модуля chip-on-board//Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы» - 2013. - С. 174-175

Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Влияние светорассеяния в оптических покрытиях на потери энергии в светодиодных устройствах // Письма в Журнал технической физики -2013. - Т. 39. - № 24. - С. 1-8 Подробнее

Mynbaeva M.G., Sitnikova A.A., Nikolaev A.E., Vinogradova K.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I.

Self-organized defect control during GaN homoepitaxial growth on nanostructured substrates//Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics, 2013, Vol. 10, No. 3, pp. 366–368 Подробнее

Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E.

Effects of light scattering in optical coatings on energy losses in LED devices//Technical Physics Letters, 2013, Vol. 39, No. 12, pp. 1074-1077 Подробнее

Мынбаев К.Д., Спивакова Д.С.

Светодиодные нанотехнологии в биологии и медицине - 2013

Шиляев А.В., Грешнов А.А., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д.

Моделирование рекомбинационных процессов в твердых растворах с масштабными флуктуациями состава // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics -2013. - Т. 18. - № 2. - С. 171-178 Подробнее

Lipnitckaia S.N., Mynbaev K.D., Nikulina L.A., Kramnik V., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E.

Design optimization of light emitting diode module «chip-on- board» for light extraction increase//Conference Proceedings - 12th International Conference on Laser and Fiber-Optical Networks Modeling, LFNM 2013, 2013, pp. 6644845 Подробнее

Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Mynbaev K.D., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Bougrov V.E.

Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором [Efficiency comparison of light emitting diodes based on monochromatic chips and chips with phosphor] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics -2013. - Т. 18. - № 2. - С. 135-142 Подробнее

Зегря Г.Г., Шиляев А.В., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д.

Энергетический спектр и оптические переходы в наногетероструктурах на основе твердых растворов теллурида кадмия и ртути // Научно-технические ведомости СПБГПУ -2012. - Т. 2. - № 146. - С. 69-73

Баженов Н.Л., Шиляев А.В., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г.

Оптические переходы в квантовых ямах на основе CdxHg1-xTe и их анализ с учетом особенностей зонной структуры // Физика и техника полупроводников -2012. - Т. 46. - № 6. - С. 792–797

Проекты

Рекомбинационные процессы в светодиодных гетероструктурах среднего инфракрасного диапазона
09/02/2019 - 09/30/2021
Новые научно-технологические решения в разработке энергоэффективных оптических систем для светодиодных ламп замещения
07/01/2013 - 12/30/2013
Разработка материалов первичной оптики на основе термостойких люминофоров и легированных стекол для современных светодиодных источников света
03/18/2013 - 09/14/2013